過壓保護

　　晶閘管的過電壓能力極差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以抑制晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。

　　(1)阻容吸收回路

　　晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流.使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快.即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L (di/dt)值仍很大.這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5-6倍，所以必須采取抑制措施。

　　阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子.即引線要短。最好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。

　　接線方法如圖：

　　三相整流模塊 單相整流模塊

　　三相交流模塊 單相交流模塊

　　(2)壓敏電阻吸收過電壓

　　壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓(V1mA)，是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當提高。目前通常采用30%的余量計算。

　　V1mA≥1.3√2·U

　　式中 U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。接線方法如圖：

　　三相模塊 單相模塊